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Disco duro interno solido SSD Samsung mz-75e500 850 evo basic 500GB 2.5"" 3D v-nand

Producto de SAMSUNG
Disco duro interno solido SSD Samsung mz-75e500   850 evo  basic  500GB  2.5""  3D v-nand

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REF: MZ-75E500B/EU

EAN: 8806086523035

Detalles Técnicos

Capacidad de la unidad de almacenamiento
Capacidad Almacenamiento
500 GB
Tamaño físico del disco duro en pulgadas
Tamaño del disco duro
2.5''
Capacidad del buffer/cache
Tamaño del buffer
imagen-no
Revoluciones por minuto
Velocidad del dispositivo
imagen-no
Tipo de interfaz
Tipo Interfaz
SATA 6GB/s
Tecnologia de la unidad de disco
Estado Solido
imagen-si

ATENCIÓN IMPORTANTE La información contenida en esta Ficha Técnica, no es aportada por Megasur, sino directamente por el fabricante a través de  la empresa Icecat, por lo que si su compra está vinculada a alguna característica , función , color , foto, etc, incluida en esta ficha técnica, verifique que dicha información aparezca también en el apartado Descripción de este articulo, ya que esta es la información que facilita Megasur sobre este producto y es la única información vinculante con la compra de este artículo frente a Megasur. No se aceptarán devoluciones, cambios o reclamaciones que estén relacionadas con errores existentes en esta información. En caso de duda pinche aquí para realizar una consulta.

Descripción técnica 500GB 850 EVO

Peso y dimensiones

Ancho 6,985 cm
Profundidad 10 cm
Altura 6,8 mm

Control de energía

Consumo de energía (lectura) 0,1W
Consumo de energía (escritura) 0,1W
Consumo de energía (espera) 0,045W

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje 40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95%
Golpe (fuera de operación) 1500G
Vibración no operativa 20G

Diseño

Interno Si
Tamaño 6,35 cm (2.5")
Color del producto Negro

Desempeño

Disco de estado sólido, capacidad 500 GB
Interfaces de disco de estado sólido Serial ATA III
Velocidad de lectura 540 MB/s
Velocidad de escritura 520 MB/s
Unidad, tamaño de búfer 512 MB
Velocidad de transferencia de datos 6 Gbit/s
Lectura aleatoria (4KB) 98000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 90000 IOPS
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tiempo medio entre fallos 1500000h
Sistema operativo Windows soportado Si
Información suministrada por icecat y fabricante. Para más información consulte en condiciones generales la descripción de producto Pinche aquí.

Descripción Extendida

La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una
revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad,
rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando
verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y
rendimiento con un menor consumo energético.
Características generales
Application
Cliente PCs
Capacidad (Nominal)
500GB * La capacidad real puede ser menor
Formato
2,5"
Interfaz
Interfaz SATA 6 Gb / s, compatible con el interfaz SATA 3 Gb / s & SATA 1,5 Gb / s
Dimensión (AnxAlxProf)
100 x 69,85 x 6,8 (mm)
Peso
Max 45 g
Storage Memory
Samsung 32 layer 3D V-NAND
Controller
Samsung MGX
Cache Memory
Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
Características especiales
TRIM Support
Soportado
S.M.A.R.T Support
Soportado
GC (Garbage Collection)
Algoritmo Auto Garbage Collection
Encryption Support
Encriptación AES 256 bit (Clase 0), TCG / Opal, IEEE1667
WWN Support
World Wide Name Soportado
Device Sleep Mode Support

VER MÁS INFORMACIÓN
Funcionamiento
Sequential Read
Lectura secuencial de hasta 540 MB / seg * El rendimiento puede variar en
base al hardware y a la configuración del sistema
Sequential Write
Escritura secuencial de hasta 520 MB / seg * El rendimiento puede variar en
base al hardware y a la configuración del sistema
Random Read (4KB, QD32)
Lectura aleatoria de hasta 98.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base
al hardware y a la configuración del sistema
Random Write (4KB, QD32)
Escritura aleatoria de hasta 90.000 IOPS * El rendimiento puede variar en
base al hardware y a la configuración del sistema
Random Read (4KB, QD1)
Lectura aleatoria de hasta 10.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base
al hardware y a la configuración del sistema
Random Write (4KB, QD1)
Escritura aleatoria de hasta 40.000 IOPS * El rendimiento puede variar en
base al hardware y a la configuración del sistema
Environment
Average Power Consumption (system level)
3 Watts *Máximo: 3,5 Watts (Burst mode) * El consumo puede variar en base
al hardware y a la configuración del sistem
Power consumption (Idle)
Max. 50 mWatts * El consumo puede variar en base al hardware y a la
configuración del
Allowable Voltage
5 V ± 5%
Reliability (MTBF)
1,5 Millones de horas (MTBF)
Temperatura operativo
0 - 70 °C
Shock
1.500 G & 0,5 ms
Software
Management SW
Magician Software para la gestión SSD



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